INTERNAL LEAD FATIGUE THROUGH THERMAL EXPANSION IN SEMICONDUCTOR DEVICES

被引：3

作者：

GAFFNEY, J

机构：

[1] Reliability Analysis Lab., Raytheon Company Space and Information Systems Div., Sudbury, Mass.

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1968.16412

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

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