ON THE GROWTH FROM THE AMORPHOUS PHASE IN SEMICONDUCTORS

被引:2
作者
BOURGOIN, JC [1 ]
ASOMOZA, R [1 ]
机构
[1] INST POLYTECH NACL,CTR INVEST ESTUDIOS AVANZADOS,DEPT INGN ELECT,MEXICO CITY 07000,DF,MEXICO
来源
JOURNAL DE PHYSIQUE | 1983年 / 44卷 / NC-5期
关键词
D O I
10.1051/jphyscol:1983527
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引用
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页码:175 / 177
页数:3
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共 3 条
[1]  
BOURGOIN JC, UNPUB
[2]  
BOURGOIN JC, UNPUB PHYS REV LETT
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LANNOO M, 1981, POINT DEFECTS SEMICO, V1, pCH6