GROWTH OF SINGLE-CRYSTAL NISI2 LAYERS ON SI (110)

被引：10

作者：

TUNG, RT

NAKAHARA, S

BOONE, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.95879

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：895 / 897

页数：3

共 14 条

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