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THE EFFECT OF LATTICE MISFIT ON LATTICE-PARAMETERS AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF ATOMIC LAYER EPITAXY GROWN ZNSE ON (100)GAAS SUBSTRATES
被引：34
作者：
YAO, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L544
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L544 / L547
页数：4
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