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INGAASP LASER WITH SEMIINSULATING CURRENT CONFINING LAYERS
被引:24
作者
:
DUTTA, NK
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DUTTA, NK
ZILKO, JL
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ZILKO, JL
CELLA, T
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CELLA, T
ACKERMAN, DA
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ACKERMAN, DA
SHEN, TM
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SHEN, TM
NAPHOLTZ, SG
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NAPHOLTZ, SG
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1986年
/ 48卷
/ 23期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.96871
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
收藏
页码:1572 / 1573
页数:2
相关论文
共 5 条
[1]
DUTTA NK, 1984, J LIGHTWAVE TECHNOL, V2, P201
[2]
GROWTH OF FE-DOPED SEMI-INSULATING INP BY MOCVD
LONG, JA
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LONG, JA
RIGGS, VG
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RIGGS, VG
JOHNSTON, WD
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JOHNSTON, WD
[J].
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1984,
69
(01)
: 10
-
14
[3]
MITO I, 1983, J LIGHTWAVE TECHNOL, V1, P195
[4]
SUEMATSU Y, 1982, GAINASP ALLOY SEMICO, pCH14
[5]
ZILKO JL, UNPUB
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共 5 条
[1]
DUTTA NK, 1984, J LIGHTWAVE TECHNOL, V2, P201
[2]
GROWTH OF FE-DOPED SEMI-INSULATING INP BY MOCVD
LONG, JA
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JOHNSTON, WD
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JOHNSTON, WD
[J].
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1984,
69
(01)
: 10
-
14
[3]
MITO I, 1983, J LIGHTWAVE TECHNOL, V1, P195
[4]
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[5]
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