NEW METHOD TO MEASURE LOW SCHOTTKY BARRIERS ON N-TYPE SILICON

被引：8

作者：

SUU, HV

PASZTI, F

MEZEY, G

PETO, G

MANUABA, A

FRIED, M

GYULAI, J

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.336773

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3537 / 3539

页数：3

共 6 条

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