OPTIMIZATION OF THE GROWTH-CONDITIONS OF HETEROEPITAXIAL GAAS FILMS ON CAF2/SI STRUCTURES

被引:10
作者
LEE, HC
ASANO, T
ISHIWARA, H
FURUKAWA, S
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 07期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.25.L595
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L595 / L597
页数:3
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