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OPTIMIZATION OF THE GROWTH-CONDITIONS OF HETEROEPITAXIAL GAAS FILMS ON CAF2/SI STRUCTURES
被引：10
作者：
LEE, HC
ASANO, T
ISHIWARA, H
FURUKAWA, S
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L595
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L595 / L597
页数：3
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