LIGHT-ENHANCED MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH IN II-VI AND III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引：11

作者：

FARRELL, HH

NAHORY, RE

HARBISON, JP

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584374

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：779 / 781

页数：3

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共 4 条

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