ELECTRICAL-PROPERTIES OF PARA-TYPE HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON-NORMAL-TYPE CRYSTALLINE GALLIUM-ARSENIDE HETEROJUNCTIONS

被引：16

作者：

MIMURA, H ^{[1
]}

HATANAKA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] SHIZUOKA UNIV,ELECTR RES INST,HAMAMATSU,SHIZUOKA 432,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1985年 / 24卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L355

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L355 / L357

页数：3

共 4 条

MATSUURA, H ;

OKUNO, T ;

OKUSHI, H ;

TANAKA, K .

MIMURA, H ;

HATANAKA, Y .

OKUDA, K ;

OKAMOTO, H ;

HAMAKAWA, Y .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS, 1983, 22 (09) :L605-L607

[4] NGE-PGAAS HETEROJUNCTIONS [J].

RIBEN, AR ;

FEUCHT, DL .