PHOTOLUMINESCENCE FROM ALGAAS-GAAS SINGLE QUANTUM-WELLS WITH GROWTH INTERRUPTED HETEROINTERFACES GROWN ON GAAS(100) AND GAAS(311) SUBSTRATES AT VARIOUS GROWTH TEMPERATURES BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引:13
作者
FUKUNAGA, T
NAKASHIMA, H
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 10期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.25.L856
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L856 / L858
页数:3
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