RADIATION HARDENING OF CMOS-SOS INTEGRATED-CIRCUITS

被引：21

作者：

SCHLESIER, KM ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1974年 / NS21卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1974.6498921

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：152 / 158

页数：7

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共 14 条

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