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MONOLITHIC OPTOELECTRONIC INTEGRATION OF A GAALAS LASER, A FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND A PHOTODIODE
被引:19
作者
:
BARCHAIM, N
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YARIV, A
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1984年
/ 44卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.94598
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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页码:941 / 943
页数:3
相关论文
共 4 条
[1]
HIGH-SPEED GAAIAS/GAAS P-I-N PHOTO-DIODE ON A SEMI-INSULATING GAAS SUBSTRATE
[J].
BARCHAIM, N
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机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91125
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CALTECH,PASADENA,CA 91125
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YARIV, A
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(03)
:261
-262
[2]
INTEGRATED OPTOELECTRONICS - THE MARRIAGE OF LASERS, DETECTORS, AND TRANSISTORS IN A SINGLE MONOLITHIC PACKAGE PROMISES FAST, RELIABLE DATA-TRANSMISSION
[J].
BARCHAIM, N
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ORTEL CORP, ALHAMBRA, CA USA
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YARIV, A
.
IEEE SPECTRUM,
1982,
19
(05)
:38
-45
[3]
GAMMEL JC, 1978, P IEDM, P120
[4]
HIGH-SPEED PHOTORESPONSE MECHANISM OF A GAAS-MESFET
[J].
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;
MIZUSHIMA, Y
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JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1980,
19
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[1]
HIGH-SPEED GAAIAS/GAAS P-I-N PHOTO-DIODE ON A SEMI-INSULATING GAAS SUBSTRATE
[J].
BARCHAIM, N
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1983,
43
(03)
:261
-262
[2]
INTEGRATED OPTOELECTRONICS - THE MARRIAGE OF LASERS, DETECTORS, AND TRANSISTORS IN A SINGLE MONOLITHIC PACKAGE PROMISES FAST, RELIABLE DATA-TRANSMISSION
[J].
BARCHAIM, N
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ORTEL CORP, ALHAMBRA, CA USA
ORTEL CORP, ALHAMBRA, CA USA
YARIV, A
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IEEE SPECTRUM,
1982,
19
(05)
:38
-45
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MIZUSHIMA, Y
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1980,
19
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