THEORY OF SINGLE EVENT LATCHUP IN COMPLEMENTARY METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR INTEGRATED-CIRCUITS

被引：45

作者：

SHOGA, M

BINDER, D

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1986.4334671

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1714 / 1717

页数：4

共 11 条

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