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REACTIVE ION ETCHING OF AL AND AL-SI FILMS WITH CCL4, N2, AND BCL3 MIXTURES
被引：4
作者：
MAA, JS
ONEILL, JJ
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
|
1983年
/
1卷
/
02期
关键词：
D O I：
10.1116/1.572196
中图分类号：
TB3 [工程材料学];
学科分类号：
0805 ;
080502 ;
摘要：
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页码：636 / 637
页数：2
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