LATERAL AND ANGULAR PARAMETERS OF THE UNIT-CELL OF A HIGHLY PURE SILICON CRYSTAL

被引：3

作者：

SIEGERT, H ^{[1
]}

BECKER, P ^{[1
]}

机构：

[1] PHYS TECH BUNDESANSTALT,D-3300 BRUNSWICK,FED REP GER

来源：

ACTA CRYSTALLOGRAPHICA SECTION A | 1984年 / 40卷

关键词：

D O I：

10.1107/S0108767384089960

中图分类号：

O6 [化学];

学科分类号：

0703 ;

摘要：

引用

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页码：C340 / C341

页数：2

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