CRYSTAL-GROWTH OF P-TYPE RUS2 USING BISMUTH FLUX AND ITS PHOTOELECTROCHEMICAL PROPERTIES

被引：9

作者：

FOISE, JW

EZZAOUIA, H

GOROCHOV, O

机构：

[1] CNRS, Meudon, Fr, CNRS, Meudon, Fr

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0025-5408(85)90159-X

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

SEMICONDUCTOR MATERIALS

引用

页码：1421 / 1425

页数：5

共 6 条

EZZAOUIA, H ;

HEINDL, R ;

PARSONS, R ;

TRIBUTSCH, H .

JOURNAL OF ELECTROANALYTICAL CHEMISTRY, 1983, 145 (02) :279-292

[2]

EZZAOUIA H, UNPUB MAT RES B

[3]

EZZAOUIA H, 1984, J ELECTROANAL CHEM, V165, P155

HEINDL, R ;

PARSONS, R ;

REDON, AM ;

TRIBUTSCH, H ;

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SUTARNO VJ, 1967, CAN J CHEM, V45, P1391