EPITAXIAL DEPOSITION OF SILICON-CARBIDE FROM SILICON TETRACHLORIDE AND HEXANE

被引：28

作者：

MUENCH, WV ^{[1
]}

PFAFFENEDER, I ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV HANOVER,INST WERKSTOFFKUNDE A,HANOVER,FED REP GER

来源：

THIN SOLID FILMS | 1976年 / 31卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(76)90353-9

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页数：13

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共 4 条

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