IMPROVED DESIGN OF THE GALLIUM-ARSENIDE PERMEABLE BASE TRANSISTOR

被引：8

作者：

OSMAN, MA ^{[1
]}

NAVON, DH ^{[1
]}

TANG, TW ^{[1
]}

SHA, L ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MASSACHUSETTS,DEPT ELECT & COMP ENGN,AMHERST,MA 01002

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21297

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1348 / 1354

页数：7

共 6 条

ALWIN, VC ;

NAVON, DH ;

TURGEON, LJ .

BOZLER, CO ;

ALLEY, GD .

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