THE ABSENCE OF THE STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN FLUORINATED AMORPHOUS-SILICON

被引：3

作者：

JANAI, M

STUTZMANN, M

WEIL, R

机构：

[1] TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,DEPT PHYS,IL-32000 HAIFA,ISRAEL

[2] TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,INST SOLID STATE,IL-32000 HAIFA,ISRAEL

来源：

SOLAR CELLS | 1985年 / 14卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0379-6787(85)90042-0

中图分类号：

TE [石油、天然气工业]; TK [能源与动力工程];

学科分类号：

0807 ; 0820 ;

摘要：

引用

页码：191 / 192

页数：2

共 7 条

CARLSON, DE .

SOLAR ENERGY MATERIALS, 1982, 8 (1-3) :129-140

[2] DEEP ELECTRON TRAPS IN HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON [J].

CRANDALL, RS .

PHYSICAL REVIEW B, 1981, 24 (12) :7457-7459

[3]

JANAI M, UNPUB PHYS REV B

PANKOVE, JI .

SOLAR ENERGY MATERIALS, 1982, 8 (1-3) :141-151

[5]

STUTZMANN M, UNPUB J PHYS PARIS

[6] GLOW-DISCHARGE ALPHA-SI-F PREPARED FROM SIF2 GAS [J].

WEIL, R ;

JANAI, M ;

PRATT, B ;

LEVIN, K ;

MOSER, F .

JOURNAL DE PHYSIQUE, 1981, 42 (NC4) :643-646

[7]

1980, CRC HDB CHEM PHYSICS, pF220