A DIVIDED WORD-LINE STRUCTURE IN THE STATIC RAM AND ITS APPLICATION TO A 64K FULL CMOS RAM

被引：103

作者：

YOSHIMOTO, M

ANAMI, K

SHINOHARA, H

YOSHIHARA, T

TAKAGI, H

NAGAO, S

KAYANO, S

NAKANO, T

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1983年 / 18卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1983.1051981

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：479 / 485

页数：7

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共 7 条

[1]

ANAMI K, 1982, FEB ISSCC, P250

[2]

EBEL AV, 1982, FEB P IEEE INT SOL S, P254

[3]

KANG SD, 1981, FEB ISSCC, P18

[4]

KONISHI S, 1982, FEB ISSCC, P258

[5]

MINATO O, 1982, FEB ISSCC, P256

[6]

OCHII K, 1982, FEB ISSCC, P260

[7]

YOSHIMOTO M, 1983, JAPANESE J APPL S221, V22, P69