AN ANALYTICAL MODEL FOR THE GATE CAPACITANCE OF SMALL-GEOMETRY MOS STRUCTURES

被引：19

作者：

GREENEICH, EW

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21456

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1838 / 1839

页数：2

共 5 条

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