EARLY GROWTH OF SILICON ON SAPPHIRE .2. MODELS

被引:16
作者
BLANC, J [1 ]
ABRAHAMS, MS [1 ]
机构
[1] RCA LABS,PRINCETON,NJ 08540
关键词
D O I
10.1063/1.322586
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:5151 / 5160
页数:10
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