FABRICATION OF NMOS CAPACITORS WITH A LOW-VOLTAGE COEFFICIENT AT A SILICON FOUNDRY

被引：3

作者：

HELMS, WJ

机构：

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1985年 / 6卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1985.26039

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：54 / 56

页数：3

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共 4 条

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