LASER-EXCITED RAMAN-SPECTRUM OF SNSE2

被引：7

作者：

AGNIHOTRI, OP ^{[1
]}

GARG, AK ^{[1
]}

SEHGAL, HK ^{[1
]}

机构：

[1] INDIAN INST TECHNOL,PHYS DEPT,HAUZ KHAS,NEW DELHI 29,INDIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(75)90990-4

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：1537 / 1540

页数：4

共 7 条

[1] LASER EXCITED RAMAN-SPECTRA OF GR VI SEMICONDUCTING COMPOUNDS [J].

AGNIHOTRI, OP ;

SEHGAL, HK ;

GARG, AK .

[2]

AGNIHOTRI OP, TO BE PUBLISHED

[3]

HEINE V, 1960, GROUP THEORY QUANTUM, pF229

LUCOVSKY, G ;

WHITE, RM ;

BENDA, JA ;

REVELLI, JF .

PHYSICAL REVIEW B, 1973, 7 (08) :3859-3870

[5]

Smith J. E. Jr., 1972, 11th International Conference on Physics of Semiconductors. Abstracts only, P187

[6] LATTICE MODE DEGENERACY IN MOS2 AND OTHER LAYER COMPOUNDS [J].

VERBLE, JL ;

WIETING, TJ .

WIETING, TJ ;

VERBLE, JL .

PHYSICAL REVIEW B, 1971, 3 (12) :4286-&