INFLUENCE OF TEMPERATURE ON PHOSPHORUS ION BEHAVIOR DURING SILICON BOMBARDMENT

被引：19

作者：

GLOTIN, PM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1139/p68-086

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：705 / &

共 14 条

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