HIGH-VOLTAGE OPERATION IN CLASS-B GAAS X-BAND POWER MESFETS

被引：3

作者：

SRIRAM, S

CLARKE, RC

MESSHAM, RL

SMITH, TJ

DRIVER, MC

机构：

来源：

PROCEEDINGS : IEEE/CORNELL CONFERENCE ON ADVANCED CONCEPTS IN HIGH SPEED SEMICONDUCTOR DEVICES AND CIRCUITS | 1989年

关键词：

D O I：

10.1109/CORNEL.1989.79838

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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