A MOTT MIXER DIODE

被引:1
作者
NAGLE, JP
HING, LA
KERR, TM
SUMMERS, JG
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1986年 / 4卷 / 02期
关键词
D O I
10.1116/1.583396
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:631 / 632
页数:2
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共 2 条
[1]  
ANDRADE T, 1985, SOLID STATE TECHNOL, V2, P199
[2]   TIN-DOPING EFFECTS IN GAAS FILMS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].
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