TRANSIENT CAPACITANCE MEASUREMENTS ON RESISTIVE SAMPLES

被引：107

作者：

BRONIATOWSKI, A

BLOSSE, A

SRIVASTAVA, PC

BOURGOIN, JC

机构：

[1] INST SUPER ELECTR N,PHYS SOLIDES LAB,F-59046 LILLE,FRANCE

[2] UNIV PARIS 07,ECOLE NORM SUPER,PHYS SOLIDES GRP,F-75251 PARIS,FRANCE

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1983年 / 54卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.332492

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2907 / 2910

页数：4

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共 5 条

[1] TRANSIENT-CAPACITANCE MEASUREMENT OF THE GRAIN-BOUNDARY LEVELS IN SEMICONDUCTORS
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