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QUANTUM-WELL WIDTH DEPENDENCE OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE OF IN0.52AL0.48AS/IN0.53GA0.47AS RESONANT TUNNELING BARRIERS GROWN BY MBE
被引：23
作者：
MUTO, S
INATA, T
SUGIYAMA, Y
NAKATA, Y
FUJII, T
OHNISHI, H
HIYAMIZU, S
机构：
[1] Fujitsu Lab Ltd, Atsugi, Jpn, Fujitsu Lab Ltd, Atsugi, Jpn
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
03期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L220
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
15
引用
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页码：L220 / L222
页数：3
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