INP/INGAASP P-TYPE SUBSTRATE AND MASS TRANSPORTED DOUBLY BURIED HETEROSTRUCTURE LASER

被引：10

作者：

NOGUCHI, Y

SUZUKI, Y

MATSUOKA, T

NAGAI, H

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 19期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840524

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：769 / 771

页数：3

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共 2 条

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