GROWTH OF LAYERED SEMICONDUCTORS BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY - FORMATION AND CHARACTERIZATION OF GASE, MOSE2, AND PHTHALOCYANINE ULTRATHIN FILMS ON SULFUR-PASSIVATED GAP(111)

被引：10

作者：

HAMMOND, C

BACK, A

LAWRENCE, M

NEBESNY, K

LEE, P

SCHLAF, R

ARMSTRONG, NR

机构：

[1] UNIV ARIZONA,DEPT CHEM,TUCSON,AZ 85721

[2] CONCORDIA UNIV,DEPT CHEM,MONTREAL,PQ H3G 1M8,CANADA

[3] HAHN MEITNER INST BERLIN GMBH,BEREICH CG,D-14109 BERLIN,GERMANY

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1995年 / 13卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.579767

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：1768 / 1775

页数：8