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ROLE OF IONS AND RADICAL SPECIES IN SILICON-NITRIDE DEPOSITION BY ECR PLASMA CVD METHOD
被引：19
作者：
HIRAO, T
SETSUNE, K
KITAGAWA, M
MANABE, Y
WASA, K
KOHIKI, S
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L544
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L544 / L546
页数：3
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