ROLE OF IONS AND RADICAL SPECIES IN SILICON-NITRIDE DEPOSITION BY ECR PLASMA CVD METHOD

被引:19
作者
HIRAO, T
SETSUNE, K
KITAGAWA, M
MANABE, Y
WASA, K
KOHIKI, S
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 05期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.26.L544
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L544 / L546
页数:3
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