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ROLE OF IONS AND RADICAL SPECIES IN SILICON-NITRIDE DEPOSITION BY ECR PLASMA CVD METHOD
被引:19
作者
:
HIRAO, T
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HIRAO, T
SETSUNE, K
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SETSUNE, K
KITAGAWA, M
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KITAGAWA, M
MANABE, Y
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MANABE, Y
WASA, K
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WASA, K
KOHIKI, S
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KOHIKI, S
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/ 26卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.26.L544
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L544 / L546
页数:3
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