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EFFECT OF INSITU THERMAL ANNEALING ON CRYSTALLINE QUALITY OF GE LAYERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY ON SI (100)
被引：12
作者：
FUKUDA, Y
KOHAMA, Y
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
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1987年
/
26卷
/
05期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L597
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L597 / L599
页数：3
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