SI-DOPED GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：17

作者：

OKAMOTO, K

ONOZAWA, S

IMAI, T

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1984年 / 56卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.333772

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：2993 / 2995

页数：3

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