未找到相关数据
CARRIER LIFETIME IN MBE GROWN SI-SB AND SI-IN LAYERS MEASURED BY THE TRANSIENT GRATING METHOD
被引：8
作者：
GRIVITSKAS, V
WILLANDER, M
NOREIKA, D
PETRAUSKAS, M
KNALL, J
NI, WX
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/11/006
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：1116 / 1121
页数：6
相关论文