PYROLYTIC DEPOSITION OF SILICON DIOXIDE FOR 600-DEGREES-C THIN FILM CAPACITORS

被引：10

作者：

BARNES, CR

GEESNER, CR

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1963年 / 110卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425764

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

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页码：361 / 362

页数：2

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共 1 条

[1] SILICON NITRIDE THIN FILM DIELECTRIC
BARNES, CR
GEESNER, CR
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1960, 107 (02) : 98 - 100