HIGH-GAIN WIDE-GAP-EMITTER GA1-XALXAS-GAAS PHOTOTRANSISTOR

被引：20

作者：

BENEKING, H ^{[1
]}

MISCHEL, P ^{[1
]}

SCHUL, G ^{[1
]}

机构：

[1] RHEIN WESTFAL TH,INST HALBLEITER TECH,D-5100 AACHEN,FED REP GER

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1976年 / 12卷 / 16期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760303

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：395 / 396

页数：2

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共 3 条

[1] ALFEROV ZI, 1973, SOV PHYS SEMICOND+, V7, P780
[2] KROEMER H, 1957, P IRE NOV, P1535
[3] Shockley W., 1951, US Patent, Patent No. 2569347