NITROGEN-DOPED TANTALUM THIN-FILM CAPACITORS WITH IMPROVED TEMPERATURE STABILITY

被引：10

作者：

ANDERS, W ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,D-8000 MUNICH,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(75)90015-2

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：135 / 140

页数：6

共 9 条

GERSTENBERG, D .

[2]

GERSTENBERG D, 1967, 17TH P EL COMP C, P77

[3]

JURGENS W, 1973, THIN SOL FI, V16, P359

[4]

KUMAGAI HY, 1973, 1973 P EL COMP C IEE, P257

[5]

PARISI GI, 1972, 1972 P EL COMP C IEE, P76

SCHOEN, JM ;

PITETTI, RC ;

JAFFE, D .

[7] STRUCTURE OF TANTALUM NITRIDES [J].

TERAO, N .

[8]

WATERHOUSE N, 1972, 1972 P EL COMP C IEE, P58

[9]

Yamazaki J., 1973, Fujitsu Scientific and Technical Journal, V9, P111