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PSEUDOMORPHIC GAINAS/GAAS SINGLE QUANTUM WELL HIGH ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR
被引:1
作者
:
ROSENBERG, JJ
论文数:
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0
机构:
BROWN UNIV,DEPT ENGN,PROVIDENCE,RI 02912
ROSENBERG, JJ
BENLAMRI, M
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机构:
BROWN UNIV,DEPT ENGN,PROVIDENCE,RI 02912
BENLAMRI, M
KIRCHNER, PD
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机构:
BROWN UNIV,DEPT ENGN,PROVIDENCE,RI 02912
KIRCHNER, PD
WOODALL, JM
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机构:
BROWN UNIV,DEPT ENGN,PROVIDENCE,RI 02912
WOODALL, JM
PETTIT, GD
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机构:
BROWN UNIV,DEPT ENGN,PROVIDENCE,RI 02912
PETTIT, GD
机构
:
[1]
BROWN UNIV,DEPT ENGN,PROVIDENCE,RI 02912
[2]
IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1985年
/ 32卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1985.22357
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:2546 / 2546
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