LONG-TERM TRANSIENT RADIATION-RESISTANT GAAS-FETS

被引：4

作者：

ANDERSON, WT ^{[1
]}

SIMONS, M ^{[1
]}

KING, EE ^{[1
]}

DIETRICH, HB ^{[1
]}

LAMBERT, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] RES TRIANGLE INST, RES TRIANGLE PK, NC 27709 USA

来源：

ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1982.25556

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：248 / 250

页数：3

共 6 条

ITOH, T ;

YANAI, H .

[2]

ITOH T, 1979, I PHYS C SER, V45, P326

[3]

KING EE, 1981, Patent No. 65548

[4] SUB-MICRON GATE GAAS MESFETS WITH ION-IMPLANTED CHANNELS [J].

NOZAKI, T ;

OHATA, K .

[5] LONG-TERM RADIATION TRANSIENTS IN GAAS-FETS [J].

SIMONS, M ;

KING, EE .

SIMONS, M ;

KING, EE ;

ANDERSON, WT ;

DAY, HM .