A NEW NI/TI/AU GATE ALGAAS/GAAS FET

被引：1

作者：

TAKANASHI, Y ^{[1
]}

ISHIBASHI, T ^{[1
]}

SUGETA, T ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO 180,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1983.21389

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1597 / 1598

页数：2