MODELING A TUNNELING STATE IN AMORPHOUS-SILICON DIOXIDE

被引:40
作者
GUTTMAN, L
RAHMAN, SM
机构
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1986年 / 33卷 / 02期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.33.1506
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:1506 / 1508
页数:3
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