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THE INFLUENCE OF ARGON AS AN IMPURITY IN ION-BEAM-INDUCED CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS-SILICON
被引：1
作者：
HARITH, MA
LAFERLA, A
FERLA, G
RIMINI, E
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/7/003
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：4
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