THE ROLE OF STRESS IN TWO-DIMENSIONAL SILICON OXIDATION

被引：5

作者：

KAO, DB ^{[1
]}

SARASWAT, KC ^{[1
]}

MCVITTIE, JP ^{[1
]}

NIX, WD ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1985年 / 32卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1985.22316

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：2530 / 2531

页数：2

相关论文

共 2 条

[1]

MATSUMOTO H, 1983, IEDM

[2]

YOSHIKAWA K, 1984, 16TH INT C SOL STAT