TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS AT NORMAL-ALGAAS/GAAS INTERFACE GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY USING DIRECT-RADIATION SUBSTRATE HEATING

被引：7

作者：

OE, K

IMAMURA, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS | 1985年 / 24卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.779

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：779 / 780

页数：2

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共 2 条

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