MULTIPLICATION IN SILICON P-N JUNCTIONS

被引：5

作者：

MOLL, JL

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1965年 / 137卷 / 3A期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.137.A938

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：A938 / &

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1958, 29 (02) :149-151

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LOGAN, RA .

PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (3A) :A761-+