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FORMATION OF RADIATIVE BINDING STATES FOR THE PAIRS BETWEEN ACCEPTORS IN HEAVILY ACCEPTOR-DOPED GAAS
被引：2
作者：
OHNISHI, N
MAKITA, Y
SHIBATA, H
BEYE, AC
YAMADA, A
MORI, M
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-493
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
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页码：493 / 498
页数：6
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