OXYGEN-CONTENT OF ALPHA-SI3N4 SINGLE-CRYSTALS

被引：22

作者：

KIJIMA, K ^{[1
]}

KATO, K ^{[1
]}

INOUE, Z ^{[1
]}

TANAKA, H ^{[1
]}

机构：

[1] NATL INST RES INORG MAT,IBARAKI 30031,JAPAN

来源：

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE | 1975年 / 10卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00540360

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：362 / 363

页数：2

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共 6 条

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ELIAS, DP
LINDLEY, MW
ATKINSON, A
MOULSON, AJ
[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1974, 9 (03) : 516 - 517
[2] KATO K, TO BE PUBLISHED
[3] KIJIMA K, 1974, J CRYSTAL GROWTH, V24, P187
[4] KIJIMA K, TO BE PUBLISHED
[5] OXYGEN CONTENT OF ALPHA SILICON-NITRIDE
PRIEST, HF
BURNS, FC
PRIEST, GL
SKAAR, EC
[J]. JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, 1973, 56 (07) : 395 - 395
[6] Wild S., 1972, SPECIAL CERAMICS FIV, P271