HIGH-ENERGY RADIATION DAMAGE IN SILICON TRANSISTORS

被引：10

作者：

BRUCKER, G

DENNEHY, W

HOLMESSI.A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1965.4323901

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：69 / &

共 12 条

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