SINGLE-CRYSTAL SILICON ON SAPPHIRE SUBSTRATE

被引：166

作者：

MANASEVIT, HM

SIMPSON, WI

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1964年 / 35卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1713618

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：1349 / &

相关论文

共 3 条

[1] CHEMICAL POLISHING AND ETCHING TECHNIQUES FOR AL2O3 SINGLE CRYSTALS
ALFORD, WJ
STEPHENS, DL
[J]. JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, 1963, 46 (04) : 193 - 194
[2] NUCLEATION OF ALUMINA AT HIGH SUPERSATURATIONS AND SUBSEQUENT RECRYSTALLIZATION
SEARS, GW
DEVRIES, RC
[J]. JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 1960, 32 (01) : 93 - 95
[3] VONGRUBE G, 1949, Z ANORG CHEM, V260, P120